羅門哈斯電子材料宣佈與IBM合作

2008年3月17日--羅門哈斯公司電子材料公司，為世界半導體行業提供高級化學機械研磨（CMP）技術的創新型領軍企業，繼與IBM公司簽署協議共同開發為32納米以下制程的注入提供支援的電路圖案成形（patterning）材料和工藝後，近日又宣佈與IBM簽署了另一項聯合開發協定。此項合作將專注于開發用於32納米和22納米技術節點的銅線和低絕緣（Low-K）介質集成的CMP工藝技術。

根據該協定，兩家公司將制定出一個完整的CMP耗材方案來支持32納米和22納米制程半導體器件的大規模生產。

目前，羅門哈斯的研發集中在低壓力研磨技術上，該技術在惡劣的條件下仍然可以實現大規模、可重演的生產。羅門哈斯提供多種特定用途的CMP耗材組合，並開發出了用於下一代技術節點的突破性技術，同時滿足了器件製造商的低成本需求。

“隨著技術越來越複雜，要成功製造器件，研磨墊和研磨液技術變得至關重要”，IBM的半導體制程技術高級經理Dr. Jeffrey Hedrick說，“把羅門哈斯在電子材料領域全球聞名的專業能力與IBM在CMP制程技術方面的豐富知識相結合，有助於我們應對未來CMP技術的挑戰。”

“30年來IBM一直是我們的重要客戶和合作夥伴，實際上它也是世界上首家把CMP技術引入到半導體製造過程的公司，”羅門哈斯電子材料部CMP技術總裁Sam Shoemaker說：“從那以後起，這種合作關係使我們一起為CMP研磨墊成功開發了好幾個工業標準平臺。我們希望這次與IBM的新合作能夠有助於解決在銅互連方面的幾個關鍵性問題，這些問題的解決將會惠及IBM及其客戶，並最終促成有益於半導體工業的技術進步。”

“開發用於先進技術節點的CMP耗材現在變得極為複雜，”羅門哈斯電子材料的首席技術官Cathie Markham解釋說，“要成功研發用於32納米和22納米技術節點的CMP制程，需要徹底瞭解不同制程條件下研磨墊，研磨液和調節劑之間的相互作用。而羅門哈斯在研磨墊，聚合物，研磨液以及CMP制程方面的專業性，決定了羅門哈斯在開發新一代CMP制程相關技術方面擁有著獨一無二的優勢。”

雙方將在IBM位於紐約的Yorktown Heights研發部門、Albany NanoTech專案基地--UAlbany NanoCollege，以及位於特拉華（Delaware）州Newark和亞裏桑那（Arizona）州Phoenix的羅門哈斯研發中心開展合作。

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